LQW18AN5N6C00D 是一款由罗姆半导体生产的 N 沣道晶体管,采用小尺寸的 LQFN 封装形式。该晶体管适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提高效率。
该型号特别适合在空间受限的设计中使用,因为它的小型化封装使其成为紧凑型电子产品中的理想选择。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:5.6A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
总栅极电荷:7nC
工作结温范围:-55℃至150℃
封装形式:LQFN
LQW18AN5N6C00D 具有以下显著特性:
1. 低导通电阻:仅为 4.5mΩ,能够有效降低功率损耗,从而提高整体效率。
2. 高电流处理能力:连续漏极电流可达 5.6A,满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能:总栅极电荷为 7nC,确保了快速的开关切换,减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围:支持 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围,适应各种极端环境条件。
5. 紧凑封装:LQFN 封装设计节省 PCB 占用面积,非常适合空间敏感的应用场景。
LQW18AN5N6C00D 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源和 DC-DC 转换器:
由于其低导通电阻和高效率,该器件非常适合用于高效能的电源管理解决方案。
2. 电机驱动:
可作为电机驱动电路中的功率开关,控制电机的启停及调速。
3. 负载开关:
在需要频繁开关负载的情况下,如手机、平板电脑和其他便携式设备中,可实现快速响应和低功耗。
4. 电池管理系统:
用于保护电池组免受过流或短路的影响,同时优化能量传输效率。
LQW18AN5N6C00E