MA0402XR122J160 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,主要用于高频率、高效率的电源转换场景。该芯片采用了先进的封装技术和优化的电路设计,能够显著降低开关损耗和导通损耗,同时支持高达 100V 的工作电压范围。
其内置了驱动器和保护电路,能够有效提升系统的稳定性和可靠性,适用于各类工业级和消费级应用领域。
型号:MA0402XR122J160
类型:GaN 功率晶体管
工作电压:100V
连续漏极电流:16A
导通电阻:12mΩ
栅极电荷:65nC
最大功耗:20W
封装形式:TO-247
MA0402XR122J160 具有以下主要特性:
1. 基于氮化镓(GaN)材料,具备更高的电子迁移率和更低的导通电阻,从而实现更高的效率和更小的体积。
2. 内置过流保护和过温保护功能,确保在异常情况下能够自动切断输出,保护系统免受损坏。
3. 支持高频开关操作,最高可达 2MHz,非常适合高频应用场景如无线充电器、快充适配器等。
4. 提供低至 12mΩ 的导通电阻,显著降低了传导损耗,提升了整体效率。
5. 采用 TO-247 封装形式,便于散热管理,适合大功率应用环境。
6. 可靠性高,符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车电子和其他高要求的应用场景。
MA0402XR122J160 广泛应用于以下领域:
1. 快速充电器和适配器:利用 GaN 技术实现更高效率和更小尺寸。
2. 数据中心电源:用于服务器 PSU 和其他高功率密度应用。
3. 工业电机驱动:提供高效的功率控制和快速响应能力。
4. 无线充电设备:支持高频运行以减少磁性元件体积。
5. 汽车电子系统:包括车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器等应用。
6. 太阳能逆变器:提高能量转换效率并降低热损耗。
MA0402XR122K180, MA0402XR122L160