时间：2025/5/23 14:45:24
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CDR01BP120BJWR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片具有低导通电阻、高耐压特性和快速开关速度，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换性能。
该器件采用 N 沟道增强型技术，适用于多种工业和消费类电子应用，其封装设计确保了良好的散热性能和可靠性。
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
连续漏极电流(Id)：3.6A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
导通电阻(Rds(on))：75mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗(PD)：80W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
CDR01BP120BJWR 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，支持高达 120V 的漏源电压，适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（75mΩ），显著降低了功率损耗并提升了效率。
3. 快速开关特性，能够适应高频电路设计需求。
4. 支持宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适用于严苛环境下的应用。
5. 小型化封装 TO-252 提供更优的布局灵活性和热性能。
6. 高可靠性设计，具备良好的抗浪涌能力和稳定性。
这款功率 MOSFET 可用于多种电力电子系统中，具体应用包括：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池保护和管理系统中的负载控制开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
4. 各种工业设备中的功率调节模块。
5. LED 驱动电路和固态照明系统的功率管理部分。
6. 通信设备和消费类电子产品中的电源管理单元。
CDR01BP120CJWR, IRFZ44N, AO3400
