CJ2307是一款常见的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SOT-23封装形式,适用于小型化、高性能的电子电路设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器、马达驱动和信号处理等场景。
类型:N沟道MOSFET
封装形式:SOT-23
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):110mA(@Vgs=10V)
导通电阻(Rds(on)):约3.5Ω(@Vgs=10V)
功率耗散(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
CJ2307 MOSFET在SOT-23封装中表现出优异的电气性能和稳定性。其N沟道增强型结构使其在栅极电压控制下具有高效的导通和关断能力。该器件的低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统效率,同时在高频开关应用中表现出色,适合用于低功耗设计。
该MOSFET的SOT-23封装形式非常小巧,适合高密度PCB布局,并具备良好的散热性能。此外,其宽泛的工作温度范围使其适用于各种工业和消费类电子产品。CJ2307的栅极驱动电压范围较宽(通常可支持4.5V至10V驱动),使其兼容多种驱动电路,如微控制器输出或专用驱动IC。
在可靠性方面,CJ2307通过了多项工业标准测试,包括ESD(静电放电)保护测试,确保其在复杂电磁环境中稳定运行。
CJ2307因其紧凑的封装和优良的性能,广泛应用于多个电子领域。常见用途包括小型DC-DC升压或降压模块中的开关元件、LED驱动电路中的电流控制、电池供电设备中的电源管理、传感器信号切换电路、微控制器I/O扩展驱动以及低功耗便携式设备中的负载开关控制。
在电机驱动和继电器替代方案中,CJ2307可用于控制小型直流马达或电磁阀的通断,实现无触点开关操作,提高系统寿命。此外,在通信设备中,该器件也常用于信号路径选择或电源隔离控制。由于其SOT-23封装易于手工焊接和自动化贴片组装,因此也被广泛用于原型开发和批量生产中。
2N7002, BSS138, 2N3904 (BJT), FDV301N, IRLML6401