GBI25M 时间：2025/8/23 3:13:44 阅读：5

GBI25M 是一款由 STMicroelectronics 生产的绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于高功率和高频率应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降的优点，因此在电力电子领域中被广泛使用。GBI25M 特别适用于开关电源、电机控制、UPS（不间断电源）以及工业自动化系统等应用场景。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
　　最大集电极电流（IC）：25A
　　导通压降（VCE_sat）：典型值为 1.45V @ IC=25A, VGE=15V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极阈值电压（VGE(th)）：2.0V 至 4.0V @ IC=250μA
　　短路耐受能力：具备
　　功率耗散（PD）：125W
　　输入电容（Cies）：约 1800pF @ VCE=25V

特性

GBI25M 的核心特性之一是其高效的开关性能，能够在高频下保持较低的开关损耗，从而提高整体系统效率。
　　其次，该器件具备良好的热稳定性，能够在极端工作条件下保持稳定运行，延长设备寿命。
　　此外，GBI25M 提供了较高的短路耐受能力，增强了在异常负载条件下的可靠性与安全性。
　　其栅极驱动简单，兼容标准逻辑电平，便于与各种驱动电路配合使用。
　　该 IGBT 还具有较低的电磁干扰（EMI）特性，有助于简化系统设计并减少外部滤波元件的需求。
　　最后，GBI25M 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合高功率密度设计。

应用

GBI25M 主要应用于需要高效功率转换和控制的设备中，如工业变频器、伺服驱动器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、感应加热设备以及智能电网系统。
　　在工业自动化领域，它可用于高性能电机控制和伺服系统，提供精确的转矩和速度控制。
　　在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电模块中，该 IGBT 能够实现高效的能量转换。
　　此外，它也适用于 UPS 系统，在市电中断时提供稳定、高效的电力支持。
　　在消费类应用中，GBI25M 也可用于大功率家电（如电磁炉）的功率控制电路。