时间：2025/8/2 7:54:13
阅读：22
RFD3055SM9A 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高功率应用。该器件采用先进的沟槽栅技术和优化的芯片设计，提供了优异的导通性能和开关特性。RFD3055SM9A通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：110A（在TC=25℃时）
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（最大值，VGS=10V）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220AB
RFD3055SM9A具有多项关键性能特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的最大漏源电压为60V，能够适应多种中低压应用场景，例如电池供电设备和汽车电子系统。
其次，RFD3055SM9A支持高达110A的连续漏极电流，使其适用于高功率需求的电路设计。此外，其高栅源电压容限（±20V）增强了器件的可靠性和抗干扰能力，减少了因栅极过电压而损坏的风险。
该MOSFET采用TO-220AB封装，具备良好的热管理和散热性能，能够有效应对高功率密度带来的热量积累。其封装形式也便于安装和散热片连接，适合多种工业应用环境。
此外，RFD3055SM9A的工作温度范围宽广（-55℃至175℃），能够在极端环境下保持稳定运行，适用于工业自动化、汽车电子、电源转换等对环境要求较高的领域。
RFD3055SM9A广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、负载开关和工业自动化控制设备。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能功率转换设计的理想选择。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。在工业应用中，它适用于变频器、伺服驱动器和高功率LED照明系统。
IRF3055、RFD3055S、STP110N6F6、FDP3055、FQP30N06L
