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H9HQ16AFAMMDAR-KEM 发布时间 时间:2025/9/1 21:47:38 查看 阅读:7

H9HQ16AFAMMDAR-KEM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能、低功耗的移动式DRAM(LPDDR4)存储芯片。该芯片专为高端智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备设计,具有较高的数据传输速率和较小的封装尺寸,以满足现代移动设备对内存性能和空间布局的严格要求。H9HQ16AFAMMDAR-KEM 采用先进的制造工艺和BGA(球栅阵列)封装技术,确保在高频率运行下的稳定性和可靠性。

参数

容量:2GB(16Gb)
  类型:LPDDR4 SDRAM
  电压:1.1V(核心电压VDD),1.8V(I/O电压VDDQ)
  数据速率:3200Mbps/4266Mbps(具体取决于型号)
  封装类型:BGA
  封装尺寸:根据具体封装形式可能为8mm x 10mm或类似
  温度范围:工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)
  接口:JEDEC兼容的LPDDR4接口

特性

H9HQ16AFAMMDAR-KEM 的主要特性包括低功耗设计,适用于移动设备的节能需求;支持高数据传输速率,可满足高清视频处理、大型应用和多任务处理的内存带宽需求;具备良好的热管理和封装可靠性,适应移动设备的紧凑布局与高工作负荷;支持多种刷新模式和低功耗自刷新模式,有助于延长电池寿命。此外,其兼容JEDEC标准的设计简化了系统设计和兼容性验证过程。
  该芯片还支持多Bank组架构,提高了内存访问效率;具备温度补偿自刷新(TCSR)功能,在高温环境下减少数据丢失风险;以及具备写入均衡和读取均衡功能,确保在高速运行下的数据完整性。H9HQ16AFAMMDAR-KEM 还集成了纠错机制和时钟同步控制,提升系统稳定性。

应用

H9HQ16AFAMMDAR-KEM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式多媒体设备等需要高性能、低功耗内存解决方案的领域。其高带宽和低功耗特性使其成为运行复杂操作系统、多任务处理、图形密集型应用和高清视频播放的理想选择。此外,它也可用于工业控制、车载信息娱乐系统(IVI)及部分高端物联网设备中,以满足对内存性能和功耗的严格要求。

替代型号

H9HKNNN2GAMUDC-KEM H9HQ16AFAMMDAR-KEM 的替代型号包括其他厂商的 LPDDR4 2GB 内存芯片,如三星(Samsung)的 K4F8E164QQ-B0CL 或美光(Micron)的 MT5191256A256A26A5Q。

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