时间：2025/7/14 17:48:55
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MA0402CG8R2B100 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率电子器件，具体属于增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件采用先进的封装设计，具备出色的开关特性和低导通电阻，广泛应用于高效电源转换、电机驱动和高频射频应用。其工作电压范围较高，能够承受较大的电流负载，同时支持高频操作以提升系统效率。
型号：MA0402CG8R2B100
类型：GaN HEMT
漏源击穿电压：650 V
导通电阻：80 mΩ
最大漏极电流：20 A
栅极电荷：45 nC
反向恢复时间：10 ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
MA0402CG8R2B100 的主要特性包括：
1. 高效的功率转换能力，适用于多种高频应用场景。
2. 极低的导通电阻（80 mΩ），从而减少了传导损耗并提升了整体效率。
3. 快速的开关速度，具有较低的栅极电荷和反向恢复时间，确保了高频运行时的低开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），使其能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
6. 采用了 TO-247-3 封装形式，便于安装和散热管理。
MA0402CG8R2B100 广泛用于以下领域：
1. 工业电源：如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。
2. 消费类电子产品：快速充电器、适配器等。
3. 电机驱动：工业伺服驱动器、电动汽车牵引逆变器。
4. 数据中心：服务器电源和电信设备中的高效 DC/DC 转换器。
5. 射频功率放大器：用于无线通信基站和其他高频信号处理设备。
MA0402CG8R2B150, MA0402CG8R2B200
