RF18N0R3B251CT 是一款射频功率晶体管,适用于高频放大器和无线通信系统。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和优良的线性度特性,适合于工作在高频段的应用场景。其设计能够满足现代通信设备对高性能和稳定性的要求。
这款晶体管主要应用于基站、无线电通信设备以及测试测量仪器等需要高射频性能的领域。
型号:RF18N0R3B251CT
类型:射频功率晶体管
封装:TO-263
频率范围:30 MHz 至 2500 MHz
输出功率:40 W(典型值)
增益:18 dB(典型值)
电源电压:28 V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
插入损耗:≤ 0.8 dB
最大结温:175°C
输入匹配阻抗:50 Ω
输出匹配阻抗:50 Ω
RF18N0R3B251CT 具备以下显著特性:
1. 高效的功率转换能力,能够在高频条件下提供稳定的输出。
2. 优化的线性度表现,确保信号失真最小化。
3. 良好的热管理设计,提高了长时间运行时的可靠性。
4. 宽广的工作频率范围,覆盖了从低频到高频的多种应用需求。
5. 内置保护电路,增强了器件的耐用性和稳定性。
6. 小型化的封装形式,方便集成到紧凑型设计中。
RF18N0R3B251CT 广泛用于以下应用场景:
1. 移动通信基站中的功率放大器模块。
2. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域的无线通信设备。
3. 测试与测量仪器中的高频信号源。
4. 点对点微波链路和卫星通信系统。
5. 雷达和导航系统中的射频发射部分。
6. 高速数据传输系统的前端放大器组件。
RF18N0R3B250CT, RF18N0R3B252CT