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RF18N0R3B251CT 发布时间 时间:2025/7/9 14:23:44 查看 阅读:18

RF18N0R3B251CT 是一款射频功率晶体管,适用于高频放大器和无线通信系统。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和优良的线性度特性,适合于工作在高频段的应用场景。其设计能够满足现代通信设备对高性能和稳定性的要求。
  这款晶体管主要应用于基站、无线电通信设备以及测试测量仪器等需要高射频性能的领域。

参数

型号:RF18N0R3B251CT
  类型:射频功率晶体管
  封装:TO-263
  频率范围:30 MHz 至 2500 MHz
  输出功率:40 W(典型值)
  增益:18 dB(典型值)
  电源电压:28 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  插入损耗:≤ 0.8 dB
  最大结温:175°C
  输入匹配阻抗:50 Ω
  输出匹配阻抗:50 Ω

特性

RF18N0R3B251CT 具备以下显著特性:
  1. 高效的功率转换能力,能够在高频条件下提供稳定的输出。
  2. 优化的线性度表现,确保信号失真最小化。
  3. 良好的热管理设计,提高了长时间运行时的可靠性。
  4. 宽广的工作频率范围,覆盖了从低频到高频的多种应用需求。
  5. 内置保护电路,增强了器件的耐用性和稳定性。
  6. 小型化的封装形式,方便集成到紧凑型设计中。

应用

RF18N0R3B251CT 广泛用于以下应用场景:
  1. 移动通信基站中的功率放大器模块。
  2. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域的无线通信设备。
  3. 测试与测量仪器中的高频信号源。
  4. 点对点微波链路和卫星通信系统。
  5. 雷达和导航系统中的射频发射部分。
  6. 高速数据传输系统的前端放大器组件。

替代型号

RF18N0R3B250CT, RF18N0R3B252CT

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RF18N0R3B251CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.47684卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.3 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-