L2SA1774RT1G 时间：2025/5/8 16:51:45 阅读：5

L2SA1774RT1G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供出色的效率和可靠性。
　　这款芯片属于逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET，适合需要高能效和快速响应的设计需求。

参数

型号：L2SA1774RT1G
　　类型：N-Channel MOSFET
　　封装：TO-263 (D2PAK)
　　漏源电压(Vds)：60V
　　连续漏极电流(Id)：58A
　　栅极电压(Vgs(th))：1.2V 至 2.5V
　　导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　总功耗(Ptot)：195W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

L2SA1774RT1G 具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低导通损耗并提升系统效率。
　　2. 高电流处理能力，能够支持高达 58A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，适用于高频开关应用。
　　4. 宽泛的工作温度范围，可适应各种严苛环境。
　　5. 稳定性高，具有良好的热特性和抗干扰能力。
　　6. 小型化的 TO-263 封装，节省 PCB 布局空间。

应用

L2SA1774RT1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的功率转换。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. 工业自动化设备中的负载开关。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
　　5. 通信电源和数据中心的高效功率管理。
　　6. 各种电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制功能。