时间：2025/7/5 0:20:40
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MA0402CG6R8B250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，适用于高频、高效率电源转换场景。该器件采用了先进的封装技术以提高散热性能和可靠性，同时具备低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、无线充电器以及电机驱动等应用。
型号：MA0402CG6R8B250
类型：功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：60mΩ
栅极电荷：70nC
反向恢复时间：无（由于 GaN 的特性，无反向恢复问题）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
MA0402CG6R8B250 的主要特性包括：
1. 基于氮化镓（GaN）材料，提供卓越的高频性能和效率。
2. 极低的导通电阻（仅 60mΩ），能够有效降低传导损耗。
3. 快速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率。
4. 内置保护功能，例如过温保护和过流保护，提高了系统可靠性。
5. 封装采用 TO-247-4L，具有良好的热性能和电气性能。
6. 支持硬开关和软开关拓扑，适用范围广泛。
7. 工作温度范围宽，能够在极端环境下稳定运行。
MA0402CG6R8B250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，提升效率和功率密度。
2. 高效 DC-DC 转换器，特别适用于服务器和通信设备中的电源模块。
3. 快速充电器，满足现代消费电子产品的高功率需求。
4. 无线充电系统，实现高效能量传输。
5. 电机驱动和逆变器，优化动态响应和能耗表现。
6. 光伏微逆变器，提高太阳能发电系统的效率。
MA0402CG6R8B200
MA0402CG6R8B300
GA12NS65T
