MA0402CG6R8B250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,适用于高频、高效率电源转换场景。该器件采用了先进的封装技术以提高散热性能和可靠性,同时具备低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、无线充电器以及电机驱动等应用。
型号:MA0402CG6R8B250
类型:功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:10A
导通电阻:60mΩ
栅极电荷:70nC
反向恢复时间:无(由于 GaN 的特性,无反向恢复问题)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-4L
MA0402CG6R8B250 的主要特性包括:
1. 基于氮化镓(GaN)材料,提供卓越的高频性能和效率。
2. 极低的导通电阻(仅 60mΩ),能够有效降低传导损耗。
3. 快速开关能力,支持 MHz 级别的开关频率。
4. 内置保护功能,例如过温保护和过流保护,提高了系统可靠性。
5. 封装采用 TO-247-4L,具有良好的热性能和电气性能。
6. 支持硬开关和软开关拓扑,适用范围广泛。
7. 工作温度范围宽,能够在极端环境下稳定运行。
MA0402CG6R8B250 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,提升效率和功率密度。
2. 高效 DC-DC 转换器,特别适用于服务器和通信设备中的电源模块。
3. 快速充电器,满足现代消费电子产品的高功率需求。
4. 无线充电系统,实现高效能量传输。
5. 电机驱动和逆变器,优化动态响应和能耗表现。
6. 光伏微逆变器,提高太阳能发电系统的效率。
MA0402CG6R8B200
MA0402CG6R8B300
GA12NS65T