时间：2025/9/14 20:42:52
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PMV90ENE是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能功率MOSFET器件，广泛用于需要高效功率转换和开关控制的电子设备中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于汽车电子、电源管理和工业控制等高可靠性应用场景。PMV90ENE为N沟道增强型MOSFET，采用SOT223封装形式，具有良好的散热能力和紧凑的尺寸，适合空间受限的设计需求。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：90A
漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：12.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：SOT223
PMV90ENE的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。其Trench沟道结构优化了电流传导能力，同时降低了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，PMV90ENE具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并且具有良好的短路耐受能力，增强了器件在严苛工况下的可靠性。
在封装方面，SOT223是一种表面贴装封装形式，具有良好的散热性能，适合自动化生产流程。该封装不仅提高了焊接的可靠性，还简化了PCB布局设计，有助于减少电路板的空间占用。PMV90ENE还具备快速开关特性，适用于需要高动态响应的功率转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。
此外，该MOSFET器件具有较强的抗静电能力和过热保护特性，能够在复杂电磁环境中保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性，进一步提升了设计的灵活性。
PMV90ENE广泛应用于多个领域，包括但不限于汽车电子、工业自动化、电源管理以及消费类电子产品。在汽车电子系统中，该器件常用于电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和电机驱动模块中，以实现高效能量转换和稳定控制。在工业领域，PMV90ENE适用于变频器、伺服驱动器和工业电源设备，能够提供高可靠性和优异的热管理性能。
此外，该MOSFET也常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高性能电源设计的理想选择。在消费类电子产品中，PMV90ENE可用于大功率LED驱动、便携式设备的电源管理单元，以及智能家电中的电机控制模块。
PMV80ENE, PMV100UNE, IPD90N30N3G
