时间：2025/5/7 13:19:44
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FQD2N100TM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件具有高耐压和低导通电阻的特点，适用于各种高压开关应用。其封装形式通常为 TO-247 或 TO-220，便于散热处理。
这款功率 MOSFET 广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高电压和大电流控制的场合。
最大漏源极电压：1000V
最大连续漏极电流：2.3A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.9Ω
总功耗：160W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FQD2N100TM 的主要特点是其高耐压能力，能够承受高达 1000V 的漏源极电压，这使其非常适合高压环境下的应用。此外，它还具有较低的导通电阻（1.9Ω 典型值），从而减少了导通状态下的功率损耗。
该器件采用标准的 TO-247 或 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适合长时间在高温环境下工作。同时，其快速开关特性和稳定的电气性能确保了在高频开关电路中的高效运行。
FQD2N100TM 的阈值电压较低，能够实现更高效的驱动，并且具备优异的雪崩能量吸收能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
FQD2N100TM 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，包括隔离式和非隔离式转换器。
2. 工业电机驱动与控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 高压 DC-DC 转换器和脉宽调制（PWM）控制器。
5. 各类电力电子设备中作为开关元件使用。
FQP50N100, IRFP260N, STP2N100K5
