时间：2025/6/18 22:50:35
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SIA432DJ-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和低功耗的电子电路中。该器件采用 TOLL 封装形式，具有出色的热性能和电气特性，适用于工业、汽车及消费类电子领域中的多种应用场景。
这款 MOSFET 主要以较低的导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度为特点，从而能够显著降低系统能耗并提升整体效率。
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：87 A
导通电阻：32 mΩ
栅极电荷：125 nC
开关频率：高达 100 kHz
工作温度范围：-55 ℃ 至 +175 ℃
封装形式：TOLL
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在大电流应用中的高效性能。
2. 高额定漏源电压使其能够在高压环境下稳定运行。
3. 快速的开关速度有效减少了开关损耗。
4. 具备卓越的雪崩能力和抗静电能力 (ESD)，提高了器件的可靠性和耐用性。
5. 小型化且高效的 TOLL 封装，增强了散热性能并简化了 PCB 设计过程。
6. 工作温度范围广，适合极端环境下的使用需求。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电装置。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块和电池管理系统 (BMS)。
SIA432DL-T1-GE3, IRF4326, FDP6700
