您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RFP2N10L

RFP2N10L 发布时间 时间:2023/5/24 11:47:56 查看 阅读:263

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.05 欧姆 @ 2A, 5V

漏极至源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2A

Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250?A

闸电荷(Qg) @ Vgs:-

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :200pF @ 25V

功率 - 最大:25W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

包装:管件

资料

厂商
TI

RFP2N10L推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RFP2N10L资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

RFP2N10L参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.05 欧姆 @ 2A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
  • 功率 - 最大25W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件