时间：2023/5/24 11:47:56
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类别：分离式半导体产品
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.05 欧姆 @ 2A, 5V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：200pF @ 25V
功率 - 最大：25W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
| 厂商 |
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| TI |
