您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MT40A2G8NRE083EBDP

MT40A2G8NRE083EBDP 发布时间 时间:2025/9/13 3:30:41 查看 阅读:89

MT40A2G8NRE083EBDP 是 Micron(美光)公司推出的一款高性能、高密度的DRAM存储器模块。这款模块主要用于需要高速数据处理和大容量内存的应用场合,如服务器、网络设备和高性能计算系统等。该模块的容量为16GB,采用ECC(错误校正码)技术,以提高数据完整性和系统稳定性。MT40A2G8NRE083EBDP 支持DDR4 SDRAM标准,频率为3200Mbps,并且具备低电压运行能力,以降低功耗并提高能效。

参数

容量:16GB
  类型:DDR4 SDRAM
  频率:3200Mbps
  电压:1.2V
  ECC支持:是
  行地址位数(Row Address Bits):16
  列地址位数(Column Address Bits):10
  组织方式:x8
  封装形式:RDIMM(Registered DIMM)
  工作温度:0°C 至 85°C

特性

MT40A2G8NRE083EBDP 模块具有多项先进特性,适用于高性能计算和企业级应用。
  首先,该模块采用了DDR4 SDRAM技术,相比前代DDR3 SDRAM,在数据速率、功耗和密度方面都有显著提升。DDR4的运行电压为1.2V,比DDR3的1.5V更低,从而降低了功耗并提高了能效,这对于需要长时间运行的企业级系统尤为重要。
  其次,MT40A2G8NRE083EBDP 支持ECC(错误校正码)功能,能够自动检测并纠正单比特错误,同时还能检测多比特错误,从而大大提高了系统的数据完整性和稳定性。ECC功能对于服务器、数据库系统和金融交易系统等对数据准确性要求极高的应用场景尤为重要。
  此外,该模块采用RDIMM(Registered DIMM)封装形式,内置寄存器芯片,用于缓冲地址和控制信号,从而减轻内存控制器的负载,提高系统的稳定性和可扩展性。RDIMM封装特别适用于多通道内存架构和大容量内存配置,能够有效支持多条内存模块并行工作的需求。
  MT40A2G8NRE083EBDP 还支持多种低功耗模式,包括自刷新(Self-Refresh)、深度掉电模式(Deep Power-Down Mode)等,有助于在系统空闲或低负载状态下进一步降低能耗,提升整体能效。
  最后,该模块具备宽温度范围工作能力(0°C 至 85°C),适用于各种严苛的工业环境和数据中心环境,确保在不同条件下都能稳定运行。

应用

MT40A2G8NRE083EBDP 主要应用于需要高性能、大容量和高可靠性的计算系统中。典型的应用包括服务器、数据中心、云计算平台、虚拟化系统、数据库服务器、高性能计算(HPC)设备、网络存储设备(NAS/SAN)以及工业自动化控制系统等。
  在服务器领域,该模块支持多通道内存架构,能够提供更高的内存带宽和更低的延迟,从而提升服务器的处理能力和响应速度。对于数据中心而言,ECC功能可以有效减少数据错误,提升系统的稳定性和可靠性,降低系统维护成本。
  在网络存储设备中,MT40A2G8NRE083EBDP 的高速数据访问能力和ECC功能可以确保数据读写过程的稳定性和准确性,适用于大规模存储系统和高性能文件服务器。
  在高性能计算(HPC)系统中,该模块的高频率和低延迟特性能够满足复杂计算任务对内存带宽的需求,从而提高计算效率和数据处理能力。
  此外,该模块还适用于工业控制、嵌入式系统、通信设备等领域,支持各种需要长时间运行和高稳定性的应用场景。

替代型号

MT40A2G8NRE107ECDP、MT40A2G8NRE125ECDZ、MT40A2G8NRE093EBDP、MT40A2G8NRE125EBCP

MT40A2G8NRE083EBDP推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价