MA0201CG560F250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统的整体性能。
这款器件支持大电流操作,同时具有快速开关速度和良好的热稳定性,非常适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。
型号:MA0201CG560F250
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-220
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ
Id(连续漏极电流):250A
Vgs(th)(栅极阈值电压):2V~4V
fT(特征频率):2.5MHz
工作温度范围:-55℃ to +175℃
MA0201CG560F250 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下有效减少功率损耗。
2. 高电流承载能力 (最大 250A),适合工业级和高性能应用。
3. 快速开关速度,有助于提高系统的工作效率并降低电磁干扰。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下的稳定运行。
5. 内置 ESD 保护功能,增强器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率转换。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和控制。
4. 大功率 LED 照明系统的驱动电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理。
6. 各类高频功率放大器和脉宽调制 (PWM) 控制电路。
MA0201CG560F200, MA0201CG560F300