MT40A512M16JY083EA 是 Micron(美光)公司生产的一款高性能、低功耗的 DDR4 SDRAM(同步动态随机存取存储器)模块。该模块设计用于满足高带宽和低延迟需求,广泛应用于服务器、工作站、网络设备以及高端计算设备中。MT40A512M16JY083EA 的容量为 8GB(512M x 16),采用 288-pin RDIMM(Registered DIMM)封装形式,支持 ECC(错误校正码)功能,确保数据的完整性和系统的稳定性。
容量:8GB (512M x 16)
数据速率:3200Mbps
电压:1.2V
封装形式:288-pin RDIMM
时钟频率:1600MHz
ECC 支持:是
工作温度范围:0°C 至 +85°C
信号类型:DDR4 SDRAM
刷新周期:64ms
数据宽度:72 位(含 ECC)
行列地址位数:A0-A15, BA0-BA1, BG0-BG1
MT40A512M16JY083EA 模块具有多项先进的技术特性,使其在高性能计算和企业级应用中表现出色。
首先,该模块采用 DDR4 SDRAM 技术,相比前代 DDR3 提供了更高的数据传输速率、更低的功耗以及更大的存储密度。DDR4 的工作电压为 1.2V,显著降低了能耗,适用于需要节能的服务器和数据中心环境。
其次,该模块支持 ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中检测并纠正单比特错误,大大提高了系统的稳定性和数据的完整性,适用于对可靠性要求极高的企业级应用。
此外,该模块采用 Registered DIMM(RDIMM)设计,内置寄存器芯片以缓冲地址和控制信号,降低了内存控制器的负载,使得系统可以支持更高容量的内存配置,适用于多通道内存架构和高密度内存系统。
MT40A512M16JY083EA 还支持多种节能技术,如自刷新(Self-Refresh)、部分阵列自刷新(Partial Array Self-Refresh)和温度补偿自刷新(Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR),以优化功耗并延长数据保持时间。
其 3200Mbps 的数据速率结合 1600MHz 的时钟频率,为系统提供高达 25.6GB/s 的带宽,适用于需要大量数据吞吐的应用场景,如虚拟化、数据库处理、AI 推理等。
MT40A512M16JY083EA 主要应用于高性能计算(HPC)、数据中心服务器、云计算基础设施、网络存储设备、工业控制与自动化系统、以及需要高可靠性和高带宽的嵌入式平台。其 ECC 功能和 Registered 设计使其特别适合用于服务器和企业级系统,确保在长时间运行中数据的稳定性和完整性。此外,该模块也可用于高端工作站、图形处理系统、以及需要大量内存的 AI 推理设备。
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