时间：2025/6/12 6:58:33
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UNR51A5G0LS0 是一款高性能的射频 (RF) 滤波器芯片，专为 5G 通信设备设计。该器件采用了先进的体声波 (BAW) 技术，能够提供卓越的频率选择性和低插入损耗特性，从而显著提升无线通信系统的性能。UNR51A5G0LS0 具有小型化封装和高可靠性，适用于智能手机、基站和其他无线通信设备中的射频前端模块 (RF-FEM)。
型号：UNR51A5G0LS0
类型：射频滤波器
技术：体声波 (BAW)
中心频率：3.5 GHz
带宽：100 MHz
插入损耗：≤1.5 dB
回波损耗：≥20 dB
最大功率处理能力：+30 dBm
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WL-CSP
尺寸：1.1 mm x 0.8 mm
UNR51A5G0LS0 的主要特性包括：
1. 高性能 BAW 技术，提供出色的频率选择性。
2. 在目标频段内具有极低的插入损耗，减少信号衰减。
3. 良好的带外抑制性能，有效防止干扰信号进入系统。
4. 小型化封装，节省空间，适合现代紧凑型设备设计。
5. 支持高功率处理，适用于多种应用场景。
6. 广泛的工作温度范围，确保在不同环境下的稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
UNR51A5G0LS0 主要应用于以下领域：
1. 5G 智能手机及移动终端的射频前端模块 (RF-FEM)。
2. 微基站和宏基站等通信基础设施中的射频信号处理。
3. 物联网 (IoT) 设备，用于提高无线连接的质量。
4. 工业自动化和医疗设备中的无线通信模块。
5. 车载通信系统，支持车联网 (V2X) 技术。
6. 可穿戴设备和其他需要高效射频性能的小型化产品。
UNR51A5G1MS0
UNR51A5G2LS0
UNR51A5G3HS0
