时间：2025/9/7 5:14:51
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HM5225165BTT75 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K x 16位，工作频率为7.5ns。该芯片采用CMOS工艺制造，具备高速、低功耗的特点，适用于需要快速数据存取的系统应用，如工业控制、通信设备、嵌入式系统和高端外设等。
容量：256K x 16位
访问时间：7.5ns
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP
封装引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：16位
最大工作频率：约125MHz（根据访问时间估算）
输入/输出电平：TTL兼容
封装尺寸：约14mm x 20mm
HM5225165BTT75 采用高速CMOS技术制造，具备优异的性能与稳定性。其7.5ns的访问时间使其适用于对响应速度要求较高的应用环境。该芯片支持异步操作，无需外部时钟信号，简化了设计复杂度。此外，其低功耗特性在持续运行和节能模式下均表现出色，适合嵌入式系统与便携设备使用。TSOP封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热稳定性和机械可靠性，适应各种严苛工作环境。
该芯片还具备广泛的兼容性，可与多种处理器和控制器无缝对接，支持快速的数据读写操作。其设计符合工业标准，确保在工业控制、通信设备和自动化系统等应用中稳定运行。此外，该SRAM芯片具备抗干扰能力强、数据保持时间长等特点，适用于需要频繁访问和高可靠性的应用场景。
HM5225165BTT75 主要用于需要高速数据缓存的场合，如嵌入式系统的主存储器、工业控制板的数据缓冲区、网络设备中的临时存储器、打印机和扫描仪等外设的缓存模块，以及通信模块中的快速数据交换存储单元。此外，该芯片也适用于测试设备、医疗仪器和高端消费电子产品中对存储性能有较高要求的场景。
CY7C1380B-7.5BC、IDT71V416S75B、AS7C34165BTT75B、IS61LV25616-7.5T
