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LBZX84C16T1G 发布时间 时间:2025/8/13 7:29:09 查看 阅读:16

LBZX84C16T1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压生成。该器件采用SOD-323封装,适用于需要紧凑设计和低功耗的应用场景。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:16V
  最大齐纳电流:100mA
  功率耗散:300mW
  封装类型:SOD-323
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

LBZX84C16T1G齐纳二极管具有良好的电压稳定性和温度稳定性,能够在较宽的温度范围内保持恒定的齐纳电压。其SOD-323封装形式使其适用于高密度PCB设计,节省空间的同时提供了良好的热性能。此外,该器件的功耗较低,适合用于电池供电设备和便携式电子设备中的电压参考或稳压电路。
  齐纳二极管的工作原理是基于齐纳击穿效应,当反向电压达到齐纳电压时,器件进入导通状态,维持一个相对稳定的电压值。LBZX84C16T1G的齐纳电压公差较小,典型值为±2%,确保了较高的精度。该器件还具有快速响应时间和良好的动态阻抗特性,使其在瞬态电压抑制和稳压应用中表现出色。
  在可靠性方面,LBZX84C16T1G符合工业级标准,具备较高的ESD(静电放电)耐受能力,适用于多种环境条件。此外,该器件易于焊接,支持回流焊工艺,提高了生产效率和组装良率。

应用

LBZX84C16T1G广泛应用于各种电子设备中,例如电源管理电路、电压参考源、电池充电器、稳压器、信号调节电路以及微控制器系统的电压监控。其紧凑的封装形式和稳定的性能使其特别适合用于便携式电子产品、消费类电子设备、工业控制系统和通信设备。

替代型号

BZX84C16-7-F, ZRCR16EDN, MM3Z16V

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