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HUFA76413DK8T 发布时间 时间:2025/7/8 15:34:30 查看 阅读:16

HUFA76413DK8T 是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),广泛应用于工业和汽车电子领域。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性,具有优异的开关性能和可靠性。
  该型号通常用于高频开关电路、电机驱动器、逆变器和电源转换等应用中,其设计能够承受较高的电压和电流,同时提供较低的功耗和热量损失。

参数

最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:40A
  开关频率范围:1kHz 至 20kHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  导通压降:1.8V
  栅极电荷:150nC
  存储结温:-55℃ 至 +175℃

特性

HUFA76413DK8T 的主要特点是其卓越的热稳定性和耐久性,适用于极端环境条件下的使用。它具备快速的开关速度,有助于降低开关损耗并提高系统效率。此外,该器件采用了先进的封装技术,提升了散热性能,从而延长了使用寿命。
  该IGBT还内置了过流保护和短路保护功能,增强了系统的安全性和稳定性。其低导通电阻特性使得在大电流条件下依然保持较低的功率损耗,非常适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。

应用

HUFA76413DK8T 常见的应用领域包括但不限于以下:
  1. 工业用变频器和伺服驱动器
  2. 新能源汽车中的电力管理系统
  3. 太阳能逆变器及风力发电设备
  4. 高效开关电源(SMPS)
  5. 焊接机和感应加热装置
  这些应用场景都依赖于该器件出色的电气特性和耐用性。

替代型号

HUFA76412DK8T, HUFA76414DK8T, FGA40N120HD

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HUFA76413DK8T参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列UltraFET™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C49 毫欧 @ 5.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称HUFA76413DK8T-NDHUFA76413DK8TTR