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NDS8929-NL 发布时间 时间:2025/8/24 9:31:40 查看 阅读:4

NDS8929-NL是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于电源管理和负载开关等电路中,具有低导通电阻、高耐压、高电流容量和快速开关特性。该MOSFET采用先进的沟槽技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源管理单元等高性能电源应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):12A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ(在Vgs=10V时)
  功率耗散(Pd):3W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:PowerPAK SO-8

特性

NDS8929-NL具备多项优异特性,适用于高效率电源系统设计。其核心特性之一是低导通电阻,Rds(on)低至18mΩ,显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的效率。这使得该MOSFET在大电流应用中能够保持较低的温升,增强了系统的稳定性和可靠性。
  此外,该器件支持高达12A的连续漏极电流,在高功率负载条件下表现出色。其高栅极电压容限(±20V)提高了在复杂驱动环境中的适应性,避免了因过电压导致的栅极击穿问题。
  NDS8929-NL采用先进的沟槽式MOSFET工艺,使得器件在高频开关应用中具备优异的性能。快速的开关速度降低了开关损耗,从而提高了整体电源转换效率,适用于诸如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等需要快速响应的场合。
  其PowerPAK SO-8封装形式不仅具有优良的热性能,还能提供良好的电气连接,适用于高密度PCB布局。这种封装形式也便于表面贴装工艺(SMT),提高了制造效率和产品的一致性。
  此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种严苛的工业和汽车应用环境。

应用

NDS8929-NL广泛应用于多个领域,尤其适合高效率和高可靠性的电源管理系统。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、服务器电源模块、工业自动化设备以及汽车电子系统等。
  在服务器和通信设备的电源模块中,NDS8929-NL可作为主开关或同步整流器,提高电源转换效率并降低发热量,从而提升系统稳定性和散热性能。
  在电池管理系统中,该MOSFET可用于实现电池充放电控制和保护电路,确保电池组的安全运行。由于其高电流承载能力和低导通电阻,非常适用于大容量锂电池的管理与控制。
  在工业自动化和电机控制应用中,NDS8929-NL可作为H桥电路中的开关器件,实现对直流电机或步进电机的高效控制,适用于工业机器人、自动生产线、智能家电等领域。
  此外,该MOSFET还可用于电源管理单元中的负载开关,实现对不同电路模块的独立供电控制,从而提高系统的能效和可靠性。

替代型号

SiSS8929DN-T1-E3, FDS8929A, NVTFS8929NL

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