MA0201CG180G250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和稳定性。
该型号属于 MOSFET 类别中的 N 沟道增强型器件,适合高频应用环境。其封装形式为行业标准,便于安装和集成到各种电路设计中。
最大漏源电压:180V
连续漏极电流:25A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:65nC
开关时间:典型值 30ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MA0201CG180G250 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够减少功率损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,支持高频工作环境,降低电磁干扰 (EMI)。
3. 内置保护功能,如过温保护和过流保护,提升了器件的可靠性和使用寿命。
4. 小巧的封装尺寸,适用于紧凑型设计需求。
5. 广泛的工作温度范围,适应多种极端环境下的使用要求。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器控制。
3. 电动车和混合动力汽车的动力系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 各类消费电子产品中的高效电源管理模块。
MA0201CG180G300, MA0301CG180G250