类型：P沟道达林顿晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：不适用（典型达林顿结构为VECO）
　　集电极-基极电压（VCBO）：不适用（对应VEBO）
　　发射极-集电极电压（VECO）：500V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：10A（最大值）
　　功耗（PC）：150W（典型值，带散热器）
　　直流电流增益（hFE）：4000～16000（典型范围，取决于工作点）
　　工作结温（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度（Tstg）：-55℃～+150℃
　　封装类型：TO-220AB 或类似功率封装

2SD422作为一款P沟道达林顿晶体管，其最显著的特性是极高的电流增益（hFE），通常在4000至16000之间，这使得它能够在极低的基极驱动电流下控制高达10A的负载电流。这种高增益特性特别适用于驱动继电器、电机或大型显示设备中的偏转线圈，而无需复杂的前置驱动电路。达林顿结构由两个串联的PNP晶体管组成，内部通常包含一个用于加速关断的基极-发射极电阻，有助于减少开关延迟和存储时间。
　　该器件的发射极-集电极耐压（VECO）高达500V，使其适用于高电压开关应用，例如CRT电视和显示器中的水平输出级。在这些应用中，晶体管需要承受反向高压脉冲，因此其高击穿电压和良好的二次击穿特性至关重要。此外，2SD422具备较高的功耗能力（典型150W），配合适当的散热器可在连续工作条件下稳定运行。
　　由于其P沟道极性，2SD422在电源接地侧开关或负压控制系统中使用更为方便。然而，P沟道达林顿结构相对较少见，因此在现代设计中可能不如N沟道器件普及。该器件对静电和过热较为敏感，安装时需注意接地保护和热管理。其TO-220封装便于安装在散热片上，增强了热传导效率，同时保持了紧凑的体积。

2SD422主要用于高电压、大电流的开关和驱动场合，尤其常见于上世纪80年代至90年代的消费类电子产品中。其典型应用场景包括CRT电视和计算机显示器的水平输出级（horizontal output stage），在这些系统中，晶体管负责控制偏转线圈的电流，并在扫描周期结束时承受来自逆程变压器的高压脉冲。此外，它也用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，特别是在负压配置或特定拓扑结构中需要P沟道器件的场合。
　　在工业控制领域，2SD422可用于驱动高功率负载，如加热元件、电磁阀和大型继电器，尤其是在需要低驱动电流和高可靠性的情况下。由于其达林顿结构带来的高输入阻抗和高增益，它可以与逻辑门电路或微控制器直接接口，简化驱动电路设计。尽管目前许多此类应用已转向MOSFET或IGBT，但2SD422仍在设备维修、备件替换和教育实验中发挥重要作用。
　　此外，该器件也可用于音频功率放大器的输出级，特别是在需要P沟道互补配对的模拟放大电路中。虽然其频率响应和线性度不如专用音频晶体管，但在某些低成本或复古音响设计中仍可找到其身影。总的来说，2SD422的应用集中于高电压开关、电源控制和老式电子设备维护等领域。

2SD1879
　　2SD1579
　　KSA1221