NTD4904NT4G是一款N沟道MOSFET晶体管,采用TO-263封装形式。该器件适用于高频开关应用场合,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。
型号:NTD4904NT4G
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-263
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):58A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):160W
工作温度范围:-55℃至+175℃
NTD4904NT4G具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗。
2. 高电流承载能力,支持高达58A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,适合高频应用环境。
4. 耐热增强型TO-263封装设计,提供良好的散热性能。
5. 工作温度范围宽广,适应各种极端条件下的使用需求。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 各类工业自动化设备中的负载切换。
4. 照明系统的电子镇流器和LED驱动电路。
5. 汽车电子中的电源管理和电磁阀控制。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护和均衡功能。
NTD4904N, IRFZ44N, FDP55N60