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NTD4904NT4G 发布时间 时间:2025/6/9 18:40:09 查看 阅读:24

NTD4904NT4G是一款N沟道MOSFET晶体管,采用TO-263封装形式。该器件适用于高频开关应用场合,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。

参数

型号:NTD4904NT4G
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TO-263
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):58A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):160W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

NTD4904NT4G具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达58A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  4. 耐热增强型TO-263封装设计,提供良好的散热性能。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种极端条件下的使用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 各类工业自动化设备中的负载切换。
  4. 照明系统的电子镇流器和LED驱动电路。
  5. 汽车电子中的电源管理和电磁阀控制。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护和均衡功能。

替代型号

NTD4904N, IRFZ44N, FDP55N60

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NTD4904NT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3052pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTD4904NT4G-NDNTD4904NT4GOSTR