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VJ0603D111GLBAJ 发布时间 时间:2025/6/30 16:53:37 查看 阅读:3

VJ0603D111GLBAJ 是一种基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于 Vishay 公司的 GaN 系列产品。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 技术,具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点,非常适合高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
  由于其卓越的性能表现,VJ0603D111GLBAJ 在功率电子系统中可以显著降低能量损耗并提高整体系统的效率。

参数

型号:VJ0603D111GLBAJ
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
  工作电压:650 V
  连续漏极电流:2.4 A
  导通电阻:110 mΩ
  栅极电荷:25 nC
  输入电容:1150 pF
  输出电容:35 pF
  反向恢复时间:无反向恢复电荷(零反向恢复特性)
  封装形式:LFPAK88

特性

VJ0603D111GLBAJ 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压:高达 650V 的额定电压确保其在高压环境下稳定运行。
  2. 极低的导通电阻:仅为 110mΩ,能够减少传导损耗,提升效率。
  3. 快速开关能力:得益于 GaN 材料的独特优势,此器件拥有极快的开关速度,可有效降低开关损耗。
  4. 零反向恢复特性:与传统硅基二极管不同,GaN 器件没有反向恢复电荷,从而减少了开关过程中的振荡和噪声。
  5. 高效散热设计:采用 LFPAK88 封装,具有良好的热性能和电气性能,适合表面贴装工艺。
  6. 宽禁带半导体材料:相比传统的硅器件,GaN 器件能够在更高的频率下工作,并保持较低的功耗。

应用

VJ0603D111GLBAJ 主要应用于以下领域:
  1. 高频开关电源:例如适配器、充电器等,提供高效的小型化解决方案。
  2. DC-DC 转换器:用于工业设备、通信基站和服务器电源模块中,实现高效率的能量转换。
  3. 电机驱动:支持更高效的电机控制,适用于电动工具、家电和电动车。
  4. 新能源汽车:助力车载充电器(OBC)和逆变器的设计,提升车辆的能效表现。
  5. 太阳能逆变器:为太阳能发电系统提供高效的电力转换能力。

替代型号

VJ0603D111GLBAAJ

VJ0603D111GLBAJ参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列VJ HIFREQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容110 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-