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H5MS1G62BFR-J3M 发布时间 时间:2025/9/2 9:59:28 查看 阅读:6

H5MS1G62BFR-J3M 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装。这款芯片的存储容量为1Gbit(128MB),工作电压为1.8V,广泛用于需要高速数据存储的电子设备中,例如嵌入式系统、网络设备、工业控制设备和消费类电子产品。

参数

容量:1Gbit
  电压:1.8V
  封装类型:FBGA
  数据速率:166MHz
  接口类型:x16
  工作温度:-40°C至+85°C

特性

H5MS1G62BFR-J3M是一款高性能的DRAM芯片,具备低功耗、高速度和高可靠性的特点。
  该芯片采用1.8V低电压供电,有助于降低系统功耗,适合便携式设备和对功耗敏感的应用场景。
  其FBGA封装形式提供了良好的电气性能和散热能力,同时节省了PCB空间,适合高密度电路设计。
  166MHz的数据速率使其适用于需要快速数据存取的场合,如缓存存储器、图形处理存储器等。
  此外,H5MS1G62BFR-J3M支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,确保了数据的稳定性和持久性。
  其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的工业环境中稳定运行。

应用

H5MS1G62BFR-J3M常用于需要中等容量高速存储的设备中,包括但不限于:
  1. 工业控制系统,如PLC和HMI设备;
  2. 通信设备,如路由器、交换机和基站模块;
  3. 嵌入式系统,如智能卡终端、安防监控设备和车载导航系统;
  4. 消费类电子产品,如智能电视、游戏机和高端智能手机;
  5. 图形处理器和FPGA开发板,用于临时数据存储和缓存处理。

替代型号

H5MS1G62EFR-J3C, H5MS1G62JFR-J3M

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