403CNQ080 时间：2025/12/26 20:18:12 阅读：21

403CNQ080是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、高密度电源转换应用而设计，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等场合。其封装形式为PowerPAK SO-8L，具有低热阻特性，能够有效散热，提升系统可靠性。403CNQ080在低栅极电荷和低导通电阻之间实现了良好平衡，使其在高频开关应用中表现出色。此外，该MOSFET支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V控制器驱动，简化了驱动电路设计。器件符合RoHS标准，并具备无卤素版本，满足现代电子产品环保要求。得益于其小型化封装与高性能参数，403CNQ080适用于空间受限但对效率要求较高的便携式电子设备和工业控制模块。

参数

型号：403CNQ080
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：18A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　导通电阻（RDS(on)）：8mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：19nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：860pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：PowerPAK SO-8L
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　极性：增强型MOSFET
　　功耗（PD）：3.4W（@TA=25°C）

特性

403CNQ080采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种垂直沟道结构显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现超低RDS(on)值，在30V耐压等级的N沟道MOSFET中处于领先水平。其在VGS=10V时RDS(on)仅为8mΩ，而在逻辑电平4.5V驱动下仍可保持10mΩ的低阻态，这使得它既能用于高效主开关，也可作为同步整流管使用，有效降低传导损耗。该器件的低栅极电荷（Qg=19nC）和输入电容（Ciss=860pF）大幅减少了开关过程中的驱动能量需求，提升了系统整体能效，特别适合高频开关电源设计，如多相VRM、POL转换器等。此外，低Qg还意味着更短的开关时间，有助于减小开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）。
　　PowerPAK SO-8L封装是403CNQ080的一大亮点，该封装采用无引线设计，底部带有大面积裸露焊盘，极大增强了热传导能力，使结到外壳的热阻（RθJC）降至约1.5°C/W，从而在有限的PCB空间内实现高效散热。相比传统SO-8封装，PowerPAK在相同占位面积下提供了更高的电流承载能力和更好的热性能，避免了因过热导致的性能下降或器件失效。该器件具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。同时，其栅极氧化层经过优化设计，具有较高的抗静电（ESD）能力，提升了生产过程中的可靠性和现场使用的稳定性。所有这些特性共同确保了403CNQ080在严苛工作环境下的长期稳定运行。

应用

403CNQ080广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压转换器中的上下桥臂开关，尤其在服务器、笔记本电脑和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中表现优异。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件可用于DC-DC buck和boost转换器，显著降低功率损耗，提高转换效率。在电池供电设备中，如移动终端和平板电脑，403CNQ080常被用作负载开关或电源路径管理器件，以实现快速开启/关闭和最小待机功耗。此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，能够提供足够的电流驱动能力并减少发热。在热插拔控制器和电源冗余系统中，403CNQ080的快速响应和低损耗特性有助于实现平稳的电源切换和过流保护。工业自动化设备、嵌入式控制系统和FPGA/ASIC供电方案中也常见其身影。得益于其小型化封装和高可靠性，该器件同样适用于空间受限的高密度PCB布局设计，如通信基站模块、网络交换机和便携式医疗设备。