时间：2025/8/29 12:22:35
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M2881SYGWA/S530-E2是一款由ROHM（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。这款MOSFET设计用于高效率和低导通损耗，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：4.4A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：10V
功率耗散（Pd）：2.5W
封装形式：SOT-223
工作温度范围：-55°C至150°C
M2881SYGWA/S530-E2具有低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其SOT-223封装形式使得该器件适用于高密度PCB布局，同时具备良好的热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，从而提高整体系统性能。器件的栅极驱动电压为10V，确保了良好的导通状态并减少了开关损耗。ROHM在该器件的设计中采用了先进的半导体技术，确保了器件的可靠性和稳定性。
M2881SYGWA/S530-E2通常用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关电路、电机控制电路以及各种需要高效功率控制的电子设备中。其高效率和小尺寸封装使其特别适用于便携式电子产品、电源适配器以及工业控制系统。
Si2302DS、FDMS3618、AO3400A、IRLML2402、FDMC8030
