时间：2025/5/10 11:03:04
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SI4920DY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用微型 DPAK (TO-263) 封装，适合用于高频开关和功率管理应用。
这种 MOSFET 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率性能，使其成为电源转换、负载开关、电机控制和其他功率管理电路的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：32A
导通电阻 (Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷：40nC
总电容：1180pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
SI4920DY-T1-GE3 的关键特性包括低 Rds(on)，有助于降低功耗并提高系统效率。其微型 DPAK 封装允许更好的散热性能，并且能够支持高电流密度。
此外，该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗。
它还具有优异的雪崩能力和热稳定性，这使得该 MOSFET 在各种恶劣条件下都能保持稳定运行。
由于其低寄生电感和优化的封装设计，SI4920DY-T1-GE3 非常适合高频开关应用。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池保护电路、通信电源以及汽车电子等领域。
在消费类电子产品中，例如笔记本电脑适配器、LED 照明和智能手机充电器中也常见到该型号的应用。
另外，其高可靠性也使其适用于工业控制设备和太阳能逆变器等需要长期稳定工作的场景。
IRFZ44N
STP32NF06
FDP5820
AO3400
