时间：2025/6/3 12:30:57
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RHTVSDF0521N-S 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频应用中提供高效的功率转换性能。
这款 MOSFET 的封装形式紧凑，适合空间受限的设计，同时具备出色的热特性和电气稳定性，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：77nC
输入电容：2000pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RHTVSDF0521N-S 的主要特性包括低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率；高电流承载能力使其适用于大功率应用；其快速开关特性减少了开关损耗，非常适合高频电路设计。
此外，该器件具有坚固的短路耐受能力和出色的热稳定性，可确保在极端条件下的可靠运行。紧凑的封装形式进一步提升了 PCB 布局的灵活性，并降低了整体系统成本。
RHTVSDF0521N-S 通常用于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS)
- 电动工具及家用电器中的电机驱动
- 工业自动化中的负载切换
- 通信电源和 DC/DC 转换器
- 电池保护与管理系统
其卓越的性能和可靠性使其成为上述应用的理想选择。
RHTVSDF0521P-S, IRFZ44N, FDP55N06L
