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RHTVSDF0521N-S 发布时间 时间:2025/6/3 12:30:57 查看 阅读:9

RHTVSDF0521N-S 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够在高频应用中提供高效的功率转换性能。
  这款 MOSFET 的封装形式紧凑,适合空间受限的设计,同时具备出色的热特性和电气稳定性,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:77nC
  输入电容:2000pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

RHTVSDF0521N-S 的主要特性包括低导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率;高电流承载能力使其适用于大功率应用;其快速开关特性减少了开关损耗,非常适合高频电路设计。
  此外,该器件具有坚固的短路耐受能力和出色的热稳定性,可确保在极端条件下的可靠运行。紧凑的封装形式进一步提升了 PCB 布局的灵活性,并降低了整体系统成本。

应用

RHTVSDF0521N-S 通常用于以下领域:
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - 电动工具及家用电器中的电机驱动
  - 工业自动化中的负载切换
  - 通信电源和 DC/DC 转换器
  - 电池保护与管理系统
  其卓越的性能和可靠性使其成为上述应用的理想选择。

替代型号

RHTVSDF0521P-S, IRFZ44N, FDP55N06L

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