类型：串行闪存
　　密度：16 Mbit
　　组织结构：每页256字节，共8192页；每扇区64 KB，共32个扇区
　　接口类型：SPI（串行外设接口）
　　时钟频率：最高支持75 MHz
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚 SO (150 mil)
　　写保护功能：软件和硬件写保护
　　编程电压：单电源供电，无需额外Vpp
　　擦除时间：典型值为1秒（整个扇区）
　　编程时间：典型值为0.7毫秒（每页）
　　待机电流：典型值为1 μA
　　工作电流：读取时典型值为12 mA，编程时典型值为15 mA
　　支持的操作模式：标准SPI模式（Mode 0 和 Mode 3）

M25P16-VMN6YPBA具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它采用SPI接口设计，仅需四条信号线（SI、SO、SCK、/S）即可完成数据传输，极大减少了引脚占用和PCB布线复杂度，非常适合空间受限的应用场景。其最高支持75 MHz的时钟频率，使得连续读取速度接近于并行闪存，显著提升了系统响应速度。该芯片内部存储阵列被划分为多个可独立擦除的扇区（每个64 KB）和更小的可编程页面（256 B），支持灵活的数据管理策略，例如按页写入、按扇区或整片擦除，便于实现固件更新和日志记录功能。
　　其次，M25P16提供了全面的保护机制，包括软件和硬件写保护。通过状态寄存器配置，用户可以锁定特定地址区域防止误写或误删，而硬件上的/WP引脚允许外部电路动态控制写入权限，增强系统的可靠性。此外，该器件支持多种电源管理模式，如深度掉电模式，在此模式下电流消耗可降至1 μA以下，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　再者，M25P16-VMN6YPBA采用先进的工艺制造，保证了高耐久性（典型擦写次数为10万次）和长期数据保持能力（通常可达20年）。其工作电压范围为2.7 V至3.6 V，兼容大多数3.3 V系统电源，无需额外电平转换。工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保其在严苛环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化等对环境适应性要求较高的场合。整体来看，这款芯片在性能、可靠性和集成度之间实现了良好平衡。

M25P16-VMN6YPBA广泛应用于各类需要中等容量非易失性存储的电子系统中。在消费类电子产品中，常用于数字电视、机顶盒、路由器和智能家居设备中存储启动代码、配置参数或用户设置信息。由于其SPI接口简单且易于集成，成为MCU或MPU系统中Boot Flash的常见选择，特别是在无法使用更大尺寸并行闪存的紧凑型设计中优势明显。在网络通信设备中，该芯片可用于保存固件镜像、网络配置文件或运行日志，配合主处理器实现快速启动和远程升级功能。
　　在工业控制领域，M25P16被用于PLC控制器、HMI人机界面、传感器模块等设备中，用于记录设备校准数据、历史运行状态或报警日志。其高可靠性和宽温特性使其能在工厂恶劣环境中长期稳定工作。在汽车电子方面，该芯片适用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元或ADAS辅助驾驶模块中，存储初始化代码或地图缓存数据，满足车规级应用的部分要求（尽管非完全车规认证型号）。
　　此外，该器件也常见于医疗仪器、测试测量设备和便携式终端中，作为程序存储或数据缓冲介质。得益于其低功耗特性，尤其适合由电池供电的移动设备，在待机状态下有效减少能量消耗。总体而言，凡是需要低成本、小体积、高可靠性的串行Flash解决方案的场景，M25P16-VMN6YPBA都是一个成熟且经过市场验证的选择。

M25P16-VMP6G
　　M25P16-VMN3P
　　W25Q16JVSSIQ
　　EN25Q16-100HIP