型号：GZ0603D221TF
　　制造商：Giant Electronics（风华高科）
　　封装尺寸：0603（1608公制）
　　电容值：220pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 R×C≥500S（取较大者）
　　耐电压：1.5倍额定电压，1秒
　　ESR（等效串联电阻）：极低（典型值小于10mΩ）
　　ESL（等效串联电感）：低（典型值约0.4nH）
　　产品等级：工业级/汽车级
　　端接电极：Ni/Sn（镍/锡）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（部分批次）

GZ0603D221TF所采用的C0G（NP0）介质材料是目前所有陶瓷介质中稳定性最高的类型之一，能够在整个工作温度范围内保持电容值的高度恒定，温度系数仅为0±30ppm/°C，这意味着即使在极端温度条件下，其电容变化也几乎可以忽略不计。这种优异的温度稳定性使其成为高精度定时电路、频率选择网络以及需要长期可靠运行的系统中的首选元件。此外，C0G材质不具有铁电性，因此不存在电压依赖性（即电压系数极小），不会因施加电压的变化而导致介电常数下降或电容值漂移，确保了信号传输的一致性和准确性。
　　该电容器具有极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.15%），意味着其能量损耗非常小，在高频应用中能够有效减少发热并提高电路效率。这对于射频前端模块、压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）以及各类滤波器设计尤为重要。同时，由于其非铁电特性和无老化特性，电容值不会随着时间推移而发生衰减，保障了产品的长期稳定性与可靠性。
　　在结构设计方面，GZ0603D221TF采用多层叠膜工艺和高温共烧技术，确保内部电极均匀分布，提升抗机械应力能力，并降低微音效应（microphonics）。其0607>0603的小型化封装适应现代电子设备对空间紧凑性的需求，同时仍保持足够的爬电距离和电气性能。端电极为镍阻挡层加锡覆盖的设计增强了抗迁移能力和焊接兼容性，适用于回流焊工艺，并可在严苛环境下维持稳定的电气连接。

GZ0603D221TF因其卓越的电气稳定性和高频特性，被广泛应用于对信号精度和稳定性要求极高的电子系统中。在射频通信领域，它常用于手机、基站、Wi-Fi模块、蓝牙设备中的阻抗匹配网络、LC谐振电路和带通滤波器，确保信号传输的高效与纯净。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈回路、ADC/DAC参考电压旁路、时钟生成电路等，该电容可有效抑制噪声并维持相位稳定性。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，包括车载信息娱乐系统、雷达传感器、车身控制模块等，特别是在满足AEC-Q200标准的应用场景下表现出色。工业控制设备如PLC、传感器接口、测量仪器同样依赖此类高稳定性电容来保证长时间运行的精度一致性。在医疗电子、航空航天和测试测量设备中，GZ0603D221TF也被用于关键信号调理路径，以防止环境变化引起的性能波动。
　　由于其低ESR和低ESL特性，该电容还可用作高频去耦和局部储能元件，尤其适合在高速数字电路中为敏感模拟单元提供干净的电源轨。总之，凡是对电容稳定性、频率响应和长期可靠性有严苛要求的应用场合，GZ0603D221TF都是一个理想的选择。

GRM188R71H221KA01J
　　CC0603JRNPO9BN221
　　C1608X7R1H221K035AB
　　CL21A221JBANNN