类型：MOSFET输出固态继电器
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：20mA（最大连续值）
　　输出耐压（VOFF）：60V
　　连续负载电流（IO）：860mA（最大值）
　　导通电阻（RON）：0.5Ω（最大值）
　　动作时间（tON）：1ms（最大值）
　　释放时间（tOFF）：0.5ms（最大值）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电压（Viso）：5000Vrms（1分钟）
　　封装形式：SMD-4引脚超小型扁平封装

G3VM-41BR的核心优势在于其基于光控MOSFET的输出结构，这种设计实现了真正的无触点开关，避免了传统电磁继电器因机械触点导致的电弧、接触反弹、磨损和寿命限制等问题。其输出部分由两个串联的功率MOSFET构成，采用背对背连接方式，允许电流双向流动，因此既可以用于直流负载的开关控制，也可以用于交流负载的通断操作。这种双向导通能力使得G3VM-41BR在通用性上远超单向开关器件，特别适用于需要频繁切换或精确时序控制的应用场景。
　　该器件的输入侧采用高效率红外LED，仅需较低的驱动电流（通常5~20mA）即可可靠触发，兼容TTL、CMOS等逻辑电平电路，便于与微控制器、FPGA或其他数字系统直接接口，无需额外的驱动电路。低驱动电流不仅降低了系统功耗，也减少了热损耗，提升了整体系统的能效。此外，G3VM-41BR具备出色的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的绝缘电压，有效防止高压窜入低压控制侧，保障系统安全与操作人员的人身安全。
　　在电气性能方面，G3VM-41BR的导通电阻典型值仅为0.5Ω，最大不超过0.5Ω，在860mA负载电流下产生的压降和功耗极小，显著降低了温升，提高了长期运行的可靠性。其快速的动作时间和释放时间（分别为1ms和0.5ms以内）确保了对负载的精确控制，尤其适合需要高速切换的自动化控制系统。同时，由于没有机械运动部件，该器件具有极高的抗冲击和抗振动能力，可在恶劣工业环境中稳定工作。封装采用表面贴装技术（SMT），体积小巧，节省PCB空间，有利于实现高密度集成和自动化生产。

G3VM-41BR广泛应用于需要小型化、高可靠性和长寿命开关解决方案的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC模块、I/O控制单元、传感器信号切换、小型电机启停控制以及气动/液压阀的驱动电路中，替代传统电磁继电器以提高系统稳定性并减少维护成本。在通信设备中，可用于信号路由、音频/视频通道切换、电源管理模块中的负载通断控制等场景，其低噪声和无火花特性非常适合敏感信号环境。
　　在医疗电子设备中，G3VM-41BR因其高绝缘性和可靠性，被用于病人监测仪器、诊断设备和便携式医疗装置中的电源或信号隔离控制，确保设备安全运行并符合严格的医疗安全标准。测试与测量仪器也大量采用此类固态继电器，用于自动测试系统（ATE）中的多路复用开关、程控电源通断、校准电路切换等功能，其长寿命和高重复性保证了测试结果的一致性。
　　此外，在消费类电子产品如智能家居控制模块、安防系统、智能电表、LED照明调光系统中，G3VM-41BR凭借其紧凑尺寸和低功耗特性，成为理想的电子开关元件。它还可用于电池管理系统（BMS）、充电控制电路、DC-DC转换器的同步整流或负载开关等电力电子应用中，提供高效、静音的开关功能。由于支持表面贴装工艺，特别适合大规模自动化生产，有助于降低制造成本并提升产品一致性。

G3VM-41GR
　　G3VM-61GR2
　　TLP222G