HY57V64820HGLT-7是由现代(Hynix)公司生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,其设计用于提供高性能和高密度的数据存储解决方案。HY57V64820HGLT-7的存储容量为64MB,组织形式为8M x 8,适用于需要大量数据处理和存储的应用场景。
容量:64MB
组织形式:8M x 8
电源电压:3.3V
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:TSOP
引脚数:54
访问时间:7ns
最大频率:143MHz
HY57V64820HGLT-7具备低功耗设计,适合在对能耗敏感的应用中使用。该芯片支持同步模式,能够与系统时钟保持同步,从而提高数据传输效率。此外,它还具有自刷新功能,可以在不外部刷新的情况下保持数据完整性,进一步降低功耗。
这款SDRAM芯片采用TSOP封装形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在各种工业环境中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够适应较为严苛的工作条件。HY57V64820HGLT-7的最大频率为143MHz,访问时间为7ns,能够提供高速的数据访问能力。
HY57V64820HGLT-7的存储容量为64MB,组织形式为8M x 8,适用于需要大容量存储的应用场景。其3.3V的电源电压设计使其能够在保证性能的同时降低功耗,并且与大多数现代电子系统兼容。
HY57V64820HGLT-7广泛应用于需要高性能和大容量存储的设备中,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费电子产品等。由于其低功耗设计和良好的散热性能,它也非常适合用于便携式设备和对能耗敏感的应用场景。
IS42S16800B-7T、MT48LC16M16A2B4-7A、K4S641632K-TC75