时间:2025/10/30 9:14:01
阅读:12
E28F016SA-100是英特尔(Intel)公司推出的一款16兆位(2MB)的并行接口闪存芯片,属于Intel StrataFlash Embedded Memory技术系列。该器件采用先进的多层存储技术,能够在单个存储单元中存储多个比特信息,从而在保持成本效益的同时提高存储密度。E28F016SA系列主要面向嵌入式应用,适用于需要非易失性存储、可重复编程和高可靠性的系统设计。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备和消费类电子产品中。其封装形式通常为48引脚TSOP(Thin Small Outline Package)或48引脚FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),便于在紧凑型电路板上布局。E28F016SA-100支持标准的微处理器总线接口,无需特殊的编程电压,可通过内部电荷泵完成擦除和写入操作,提升了系统设计的便利性。此外,该器件具备较强的环境适应能力,可在工业级温度范围内稳定工作,满足严苛的应用需求。尽管英特尔已逐步将闪存业务转移或停产部分旧型号,但E28F016SA-100仍在许多 legacy 系统中持续使用,并有相应的替代方案可供升级或替换。
制造商:Intel
产品系列:StrataFlash
存储容量:16 Mbit(2 MB)
架构:并行接口(x8/x16)
供电电压:2.7V 至 3.6V
访问时间:100 ns
封装类型:48-pin TSOP Type I 或 48-ball FBGA
温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
接口类型:CE#、OE#、WE#、BYTE#、RESET#
编程电压:内部电荷泵生成,无需外部高压
擦除方式:扇区擦除、整片擦除
耐久性:典型值为10万次擦写周期
数据保持时间:典型值10年
组织结构:128个扇区,每扇区16 KB
E28F016SA-100具备多项关键特性,使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先,该芯片采用Intel的StrataFlash技术,支持多层单元(MLC)存储,能够在每个存储单元中存储多个数据状态,从而实现比传统NOR Flash更高的存储密度,同时保持较低的单位比特成本。这种技术特别适合对成本敏感但又需要较大代码存储空间的应用场景。
其次,该器件支持x8和x16两种总线宽度模式,能够灵活适配不同类型的微控制器和微处理器系统。通过BYTE#引脚的控制,用户可在8位和16位模式之间切换,增强了与各种主机接口的兼容性。此外,其100ns的快速访问时间确保了代码的高效执行,支持XIP(eXecute In Place)功能,即程序代码可直接在Flash中运行,无需加载到RAM,从而节省系统资源并加快启动速度。
在可靠性方面,E28F016SA-100集成了多种保护机制。它支持按扇区(16KB)进行擦除,允许细粒度的数据更新和固件管理。同时,芯片内置软件命令集,可用于配置、查询、编程和擦除操作,包括安全保护命令以防止误写或非法访问。其内部电荷泵设计消除了对外部高压编程电源的需求,简化了电源设计并提高了系统安全性。
该器件还具备出色的环境适应能力,工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于户外设备、工业自动化和车载系统等严酷环境。此外,其数据保持能力长达10年,耐久性高达10万次擦写循环,确保长期稳定运行。Intel还提供了完整的开发工具支持和数据手册,便于工程师进行系统集成和故障排查。
E28F016SA-100广泛应用于多种嵌入式系统中,尤其适用于需要可靠、可重复编程非易失性存储的场合。在通信设备领域,它常用于路由器、交换机和基站模块中存储固件、引导代码和配置参数,支持远程固件升级和现场维护。在工业控制系统中,该芯片被用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和传感器节点,保存运行程序和校准数据,确保断电后信息不丢失。
在网络设备中,E28F016SA-100作为Boot Flash使用,存放启动加载程序(Bootloader),实现系统的可靠启动和恢复。由于其支持XIP功能,许多实时操作系统(RTOS)可以直接从该Flash中执行代码,减少对RAM的依赖,提升系统响应速度。
在消费类电子产品中,如机顶盒、打印机和智能家居网关,该芯片用于存储主控程序和用户设置,兼顾性能与成本。此外,在医疗设备和测试仪器中,其高可靠性和数据保持能力确保关键程序和测量数据的安全存储。
由于其工业级温度特性和抗干扰设计,E28F016SA-100也适用于车载信息娱乐系统和车载控制模块,在汽车电子中发挥重要作用。尽管该型号已逐渐进入生命周期后期,但在现有设备维护、备件替换和系统升级中仍具有重要价值。
S29GL032N90TFIR5
S29GL032N90TFI05
MT28EW01GABA1LPC-0SIT
EM700C16USS