类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　漏极电流（ID）：30A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约36mΩ
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷（Qg）：低
　　反向恢复电荷（Qrr）：极低
　　技术：碳化硅（SiC）

UDS3613H-MIL MOSFET具有多项显著的技术特性，使其在高性能功率转换应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了碳化硅材料，具有宽禁带半导体的优异特性，包括更高的击穿电压、更低的导通电阻以及更低的开关损耗。与传统的硅基MOSFET或IGBT相比，UDS3613H-MIL在高频开关应用中表现更佳，能够有效提高系统的整体效率。
　　其次，UDS3613H-MIL的双N沟道结构设计使其能够在高电流条件下保持稳定的工作状态，适用于高功率密度设计。此外，其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通损耗，从而降低了器件在高负载下的温升，提高了系统的可靠性。
　　再者，该MOSFET的栅极电荷（Qg）和反向恢复电荷（Qrr）非常低，这有助于减少开关过程中的能量损耗，使得器件能够在更高的开关频率下运行，进一步缩小外部无源元件的尺寸，降低系统的整体成本。
　　最后，UDS3613H-MIL的封装设计符合表面贴装工艺，适用于自动化生产流程，提高了制造效率和产品一致性。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）也确保了器件在极端环境下的稳定运行，适用于严苛的工业和汽车应用。

UDS3613H-MIL MOSFET广泛应用于多个高功率领域。首先，在电动汽车（EV）充电系统中，UDS3613H-MIL凭借其高效率和高频开关能力，能够有效提高充电效率并减少热量损耗，适用于车载充电器（OBC）和直流-直流（DC-DC）转换器。
　　其次，在工业电源和不间断电源（UPS）系统中，该器件能够提供高功率密度和低损耗的解决方案，适用于高效率的功率因数校正（PFC）电路和DC-AC逆变器。
　　此外，UDS3613H-MIL也广泛应用于太阳能逆变器和储能系统中，碳化硅技术的优势使其在可再生能源转换系统中表现出色，能够提升整体系统的能量转化效率并降低系统冷却需求。
　　最后，在电机驱动和工业自动化设备中，UDS3613H-MIL的高开关速度和低导通损耗使其成为高性能变频器和伺服驱动器的理想选择。

SiC MOSFET替代型号：Cree/Wolfspeed的C3M0065090D、Infineon的IMZA65R048M1H、STMicroelectronics的SCT3045KL、ON Semiconductor的NVHL025N120SC1