时间：2025/5/13 13:48:40
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R1111N251A-TR 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的性能。
该型号属于 Nexperia 公司推出的 MOSFET 系列产品之一，封装形式为 SOT23-3L，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：0.19Ω
总电荷量：6nC
功耗：0.33W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
R1111N251A-TR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（0.19Ω），能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 小尺寸 SOT23-3L 封装，适合紧凑型设计。
3. 快速开关能力，适用于高频应用场合。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），确保在极端环境下的稳定运行。
5. 高可靠性设计，具备良好的电气特性和机械性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
这款 MOSFET 可以用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和开关元件。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动和控制电路中的功率级开关。
5. LED 驱动器中的电流调节元件。
6. 各种消费类电子产品和工业设备中的功率管理模块。
RFP10N05LT4, AO3400A, FDS2587B
