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PDTA123EM,315 发布时间 时间:2025/9/14 13:54:31 查看 阅读:11

PDTA123EM,315 是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件采用SOT23(Small Outline Transistor)封装形式,具有较小的体积和良好的热稳定性,适用于各种低功率电子设备和电路中的开关与放大应用。PDTA123EM,315 专为高可靠性和稳定性设计,是许多消费类电子和工业控制系统中常用的晶体管之一。

参数

晶体管类型:NPN
  封装类型:SOT23
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  增益(hFE):80 - 800(根据不同的工作电流)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  频率响应:100MHz(典型值)

特性

PDTA123EM,315 是一款通用型NPN晶体管,具备优异的电气特性和广泛的工作温度范围,使其适用于多种应用场景。其SOT23封装形式不仅节省空间,而且便于自动化装配,特别适合用于印刷电路板(PCB)上空间有限的设计。该晶体管的增益(hFE)范围较宽,从80到800不等,这使得它在不同的电路配置中都能保持良好的性能表现。此外,PDTA123EM,315 的频率响应可达100MHz,支持在高频电路中使用,如射频放大器或高速开关电路。
  该器件的热稳定性良好,可以在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作,适应严苛的环境条件。最大集电极-发射极电压为50V,最大集电极电流为100mA,适合用于低功率放大和开关电路。由于其高可靠性和广泛的应用范围,PDTA123EM,315 成为许多电子设备中不可或缺的组成部分。

应用

PDTA123EM,315 常用于各类电子设备中的信号放大和开关控制。例如,在音频放大器中,它可以作为前置放大器来提升信号强度;在数字电路中,它可以用作逻辑开关,控制外围设备的启停;在电源管理电路中,该晶体管可用于稳压或电流控制。此外,它还广泛应用于传感器接口电路、LED驱动、继电器控制以及各种工业自动化设备中的信号处理模块。
  由于其高频响应特性,PDTA123EM,315 也适用于射频(RF)前端电路、无线通信模块中的信号放大等应用场景。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,该晶体管常用于电池管理、显示驱动、传感器信号调理等关键电路。

替代型号

PDTA123ET, PNP互补型号为PDTA124ES, BC847 NXP, 2N3904

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PDTA123EM,315参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 20mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-101,SOT-883
  • 供应商设备封装SOT-883
  • 包装带卷 (TR)