时间：2025/5/7 13:41:19
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FCP25N60N是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于高电压、中等电流的应用场合，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。其设计优化了导通电阻和开关性能，能够在高频应用中提供高效的功率转换。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：25A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：1.8Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：175W
结温范围：-55℃至+150℃
FCP25N60N具有较高的耐压能力，能够承受高达600V的漏源电压，适合应用于高压环境中。
该器件具备较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
它还具有快速开关特性，能够适应高频工作条件，降低开关损耗。
此外，FCP25N60N采用了TO-220标准封装，便于安装和散热管理。
其出色的热稳定性确保在高温环境下也能保持可靠的性能表现。
该MOSFET主要应用于各种需要高压切换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载控制。
5. 各类电子镇流器及照明控制电路。
由于其高耐压和低导通电阻的特点，非常适合用作功率开关或负载切换元件。
IRFZ44N
STP25NF60
FDP25N60
