时间：2025/9/14 19:49:34
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PDTA113ZT,215 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的双极性晶体管（BJT）阵列器件。该器件集成了两个NPN晶体管在一个封装中，适用于需要多个晶体管配合工作的电路应用。其主要特点是具有高可靠性、低功耗和高集成度，适合用于工业控制、消费电子和通信设备等应用。该器件的封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），适合表面贴装技术（SMT）工艺，广泛用于现代电子制造领域。
类型：NPN双极性晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
电流增益（hFE）：在IC=2mA, VCE=5V时，典型值为80至600，分不同等级
频率响应（fT）：100MHz（典型值）
封装类型：SOT-23
PDTA113ZT,215 是一款高度集成的双晶体管阵列，具有出色的电气性能和稳定性。该器件的两个NPN晶体管具有相同的电气参数，可实现电路中对称设计，适用于差分放大器、推挽输出电路等应用。其高电流增益（hFE）范围允许用户根据具体应用选择适当的增益等级，以优化电路性能。此外，该器件具有较高的截止频率（fT），支持在高频电路中使用，如射频（RF）前置放大器或数字开关电路。
由于采用了SOT-23封装，PDTA113ZT,215 具有较小的封装尺寸，有助于节省PCB空间，同时支持自动化贴片工艺，提高生产效率。该器件的热阻较低，有助于在高电流工作条件下保持良好的散热性能。此外，其宽广的工作温度范围使其适用于工业级和汽车电子应用，具备良好的环境适应性。
PDTA113ZT,215 常用于需要双晶体管配置的电路设计中，如差分放大器、推挽式功率放大器、逻辑电平转换电路、开关电源控制电路等。由于其高频性能良好，也可用于射频前端模块、无线通信设备中的信号放大环节。在工业自动化控制中，该器件适用于继电器驱动、LED显示驱动、传感器信号调理等应用场景。此外，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，PDTA113ZT,215 可用于电源管理、信号处理和接口电路设计。
PDTA113ZT,115, PDTA143ZT,215, 2N3904DW-13-F
