时间：2025/9/1 12:17:46
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H5MS1262EFP-E3M是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片。该芯片属于移动型低功耗SDRAM（mSDRAM）类别，专为便携式电子设备设计，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该型号具有较高的存储密度和较低的功耗特性，适合对电池续航能力有较高要求的设备。
类型：移动SDRAM
容量：128MB
数据宽度：16位
电压：1.8V
封装：TSOP
频率：166MHz
工作温度：-40°C至+85°C
H5MS1262EFP-E3M具备低电压运行能力，支持1.8V电源供电，有效降低功耗并延长设备的电池寿命。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）技术，体积小巧，适合空间受限的移动设备设计。其运行频率为166MHz，提供较高的数据传输速率，满足设备对快速数据处理的需求。此外，该SDRAM芯片具有良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适用于多种环境条件下的应用。芯片内部集成了自刷新和待机模式，进一步优化了功耗管理。H5MS1262EFP-E3M在数据完整性方面表现优异，具备较高的可靠性和稳定性，适用于对存储性能要求较高的嵌入式系统和移动终端设备。
此外，该芯片的设计符合RoHS环保标准，减少了有害物质的使用，满足现代电子产品对环保的要求。其高速存取能力和低功耗特性使其成为移动设备中理想的内存解决方案。
H5MS1262EFP-E3M广泛应用于移动电话、智能手持设备、数码相机、多媒体播放器等便携式电子产品中。同时，它也适用于需要低功耗和高性能存储的嵌入式系统，如工业控制设备、车载导航系统和便携式医疗设备。由于其稳定的性能和广泛的兼容性，这款芯片也常被用于各类需要中等容量内存的消费类电子产品。
H5MS1G16EFR-E3M, H5MS1262EFP-E3M的升级型号如H5MS2T42EFR-E3M
