AONX38168是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)推出的高性能、低导通电阻的N沟道MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造,旨在为各种电源管理应用提供卓越的效率和可靠性。AONX38168适用于高频开关和负载切换场景,其超低的导通电阻可显著降低功耗,提高系统整体性能。
AONX38168的主要特点是其优化的栅极电荷和导通电阻设计,使其在高电流和高频应用中表现出色。此外,它具有出色的热特性和鲁棒性,确保在严苛的工作条件下也能稳定运行。
型号:AONX38168
类型:N-Channel MOSFET
封装:LFPAK56(D2PAK)
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):75A
Qg(总栅极电荷):37nC
EAS(雪崩能量):11.9mJ
fT(特征频率):1.3MHz
Vgs(th)(栅极阈值电压):2.2V~4V
AONX38168具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷设计,支持高频工作,适合DC-DC转换器等应用。
3. 高电流承载能力,能够处理高达75A的连续漏极电流。
4. 封装形式紧凑且散热性能优越,适合高功率密度设计。
5. 提供了强大的短路耐受能力和鲁棒性,确保器件在异常情况下仍能安全运行。
6. 工作温度范围广(-55°C至+175°C),适用于多种环境条件。
AONX38168广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关功能。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电动车辆和工业设备中的负载切换控制。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率转换模块。
6. 通信电源、服务器电源和消费类电子产品中的高效功率管理方案。
AONP38168, AOXM38168