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AONX38168 发布时间 时间:2025/5/26 16:24:55 查看 阅读:13

AONX38168是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)推出的高性能、低导通电阻的N沟道MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造,旨在为各种电源管理应用提供卓越的效率和可靠性。AONX38168适用于高频开关和负载切换场景,其超低的导通电阻可显著降低功耗,提高系统整体性能。
  AONX38168的主要特点是其优化的栅极电荷和导通电阻设计,使其在高电流和高频应用中表现出色。此外,它具有出色的热特性和鲁棒性,确保在严苛的工作条件下也能稳定运行。

参数

型号:AONX38168
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:LFPAK56(D2PAK)
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):75A
  Qg(总栅极电荷):37nC
  EAS(雪崩能量):11.9mJ
  fT(特征频率):1.3MHz
  Vgs(th)(栅极阈值电压):2.2V~4V

特性

AONX38168具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 优化的栅极电荷设计,支持高频工作,适合DC-DC转换器等应用。
  3. 高电流承载能力,能够处理高达75A的连续漏极电流。
  4. 封装形式紧凑且散热性能优越,适合高功率密度设计。
  5. 提供了强大的短路耐受能力和鲁棒性,确保器件在异常情况下仍能安全运行。
  6. 工作温度范围广(-55°C至+175°C),适用于多种环境条件。

应用

AONX38168广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关功能。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 电动车辆和工业设备中的负载切换控制。
  4. 电机驱动电路中的功率级开关。
  5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率转换模块。
  6. 通信电源、服务器电源和消费类电子产品中的高效功率管理方案。

替代型号

AONP38168, AOXM38168

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AONX38168参数

  • 现有数量1,552现货
  • 价格1 : ¥17.17000剪切带(CT)3,000 : ¥8.24890卷带(TR)
  • 系列XSPairFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N 沟道(双)非对称型
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A(Ta),62A(Tc),50A(Ta),85A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.3 毫欧 @ 20A,10V,0.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250μA,1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)24nC @ 10V,85nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1150pF @ 12.5V,4520pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大值3.1W(Ta),20W(Tc),3.2W(Ta),69W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)