时间：2025/8/13 2:43:00
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LMTZJ6.8B 是一款常见的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和稳压电路中。该器件的标称齐纳电压为6.8V，具有较小的动态电阻和良好的温度稳定性，适用于需要精确电压调节的场合。齐纳二极管通常工作在反向击穿区域，通过控制电流来维持一个稳定的电压。LMTZJ6.8B 属于低功耗表面贴装器件，广泛应用于电源管理、电池充电、电压检测等电路中。
齐纳电压：6.8V
最大齐纳电流：20mA
最大功耗：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
封装形式：SOD-123
LMTZJ6.8B 的主要特性包括稳定的齐纳电压和较低的动态内阻，这使得它能够在较宽的电流范围内提供精确的电压参考。该器件的温度系数较小，能够在不同的工作温度下保持电压稳定性，适合高精度应用。
此外，LMTZJ6.8B 采用SOD-123小型表面贴装封装，适用于高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和可靠性。其低功耗特性也使其非常适合便携式设备和低功耗系统中的电压调节应用。
该齐纳二极管还具有较快的响应时间，适用于需要快速电压钳位保护的电路设计。制造工艺上采用了高纯度半导体材料和先进的封装技术，确保了器件在长期运行中的稳定性和耐用性。
LMTZJ6.8B 常用于电源稳压电路中作为基准电压源，例如在DC-DC转换器、线性稳压器以及电池供电设备中提供精确的电压参考。该器件也广泛用于过压保护电路中，通过限制电路中的最高电压来保护敏感的电子元件免受损坏。
BZX84-C6V8, MMSZ5239B, 1N4735A
