类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：4.5A
　　最大漏极电压：30V
　　最大栅极电压：20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TSSOP
　　频率范围：DC至6GHz
　　输出功率：典型28dBm
　　增益：典型20dB
　　效率：典型40%
　　输入/输出阻抗：50Ω

RF5745TR7具有多项优异的电气性能，适用于多种射频应用场景。其高增益特性使得在信号放大过程中能够有效提升输出信号的强度，同时保持较低的失真水平。该器件的宽频率响应范围（DC至6GHz）使其适用于多种无线通信标准，包括GSM、WCDMA、LTE和Wi-Fi等。
　　此外，RF5745TR7具备良好的热稳定性和较高的功率密度，能够在较高工作温度下维持稳定性能，确保系统长期运行的可靠性。其40%的典型效率意味着在提供高输出功率的同时，功耗相对较低，有助于减少散热需求和系统功耗。
　　该器件的50Ω输入/输出阻抗匹配设计，使其可以直接与射频前端模块集成，简化了外围电路设计，降低了匹配网络的复杂度。同时，RF5745TR7采用了TSSOP封装，这种封装形式不仅节省空间，还提高了封装的热传导性能，有助于在高功率工作条件下维持器件的稳定运行。
　　在射频放大器设计中，该器件的线性度表现优异，能够满足高保真度信号传输的需求，适用于需要高信号完整性的应用场合，如基站、无线接入点和测试设备。

RF5745TR7广泛应用于多个高性能射频系统中，适用于多种通信和工业设备。其主要应用包括无线基站、Wi-Fi接入点、雷达系统、卫星通信、射频测试设备和工业控制设备中的射频功率放大器部分。
　　在无线通信基础设施中，RF5745TR7可作为主功率放大器使用，适用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE和5G等蜂窝通信系统。其宽频带特性使其能够在多个频段下运行，提高了系统的灵活性和适应性。
　　在Wi-Fi和无线局域网设备中，该器件可用于构建高增益、高效率的射频前端模块，提升无线信号的传输距离和稳定性。
　　在雷达和测试设备中，RF5745TR7的高线性度和低失真特性使其能够提供高质量的射频信号放大，满足精密测量和高精度探测的需求。
　　此外，该器件还可用于工业控制系统中的射频能量传输和加热应用，如RF-ID（射频识别）系统、工业传感器和无线能量传输系统。

RF5746TR7, RF5744TR7, MRF151FG, CMPA2518100F