时间：2025/8/25 7:13:26
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E2955T是一款高压功率MOSFET场效应晶体管，通常用于需要高效率和高性能功率转换的电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于DC-DC转换器、电源管理和电池充电系统等应用。E2955T封装形式通常为TO-220，具备良好的热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：12A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω
最大功耗（Pd）：80W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
E2955T具有出色的导通性能和开关特性，适用于高频功率转换应用。其低导通电阻降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和高热稳定性，能够承受较大的瞬态电流冲击。E2955T的栅极设计优化了驱动特性，减少了开关损耗，并增强了抗干扰能力。其TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于各种高功率密度设计。
E2955T还具备快速恢复二极管特性，在反向恢复过程中表现出较低的损耗，适用于需要快速开关的电路环境。该器件的高可靠性和稳定性使其在工业电源、电机控制和开关电源等应用中表现出色。
E2955T广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明电源、电池充电器以及各种高电压高功率控制电路中。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF840, IRFP460, FDPF840, STP8NM50N
