类型：P 沟道 MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：-50 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：-130 mA
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约 4 Ω @ VGS = -10 V
　　栅极电荷（Qg）：7.5 nC
　　输入电容（Ciss）：50 pF

BSS84 以其高可靠性和良好的电气性能而著称。该器件具有较低的导通电阻，在适当的栅极电压下能够提供较高的导通电流，从而减少功率损耗。此外，BSS84 的栅极电荷较低，有助于提高开关速度，降低开关损耗，适用于高频应用。其 -50 V 的漏源耐压能力使其能够在相对较高的电压环境下工作，具备一定的过压保护能力。
　　BSS84 的 SOT-23 小型封装使其非常适合用于空间受限的电路设计。该封装具有良好的热性能，在适当的 PCB 布局下可以有效地将热量散发出去。同时，SOT-23 封装的引脚排列标准化，便于与外围电路连接。
　　在温度特性方面，BSS84 的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 +150°C，能够适应各种极端环境下的应用需求，如汽车电子、工业控制系统和户外设备等。其内部结构设计也有助于提高抗静电能力和热稳定性。

BSS84 主要应用于低功率开关电路、电平转换器、负载开关、电源管理模块、电池供电设备、逻辑门驱动电路、信号放大器以及各种需要小型化设计的电子系统中。由于其 P 沟道特性，在负电压开关和高边开关中也表现出色。在数字电路中，BSS84 常用于控制 LED、小型继电器、传感器和电机等负载的通断。此外，它也可用于模拟信号的开关控制，如音频信号路由或电压调节。
　　在现代电子设备中，BSS84 被广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网设备等产品中，作为关键的控制元件。在电源管理系统中，它可以用于控制不同的电源路径，实现节能与高效管理。同时，在电机控制和马达驱动电路中，BSS84 可以作为低侧或高侧开关，控制电机的启停与方向。

2N3906（PNP晶体管）、BSH203（P沟道MOSFET）、FDV303P（P沟道MOSFET）、Si2302DS（P沟道MOSFET）