时间：2025/9/14 11:19:11
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PMV15ENEAR是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备等应用场景。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。PMV15ENEAR采用SOT457（SOT-23）封装形式，适用于表面贴装工艺，适合紧凑型设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100 mA
漏源击穿电压（VDS）：100 V
栅源击穿电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：1.8 Ω（典型值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：3.3 nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT457（SOT-23）
PMV15ENEAR采用先进的Trench工艺技术，确保了器件在高频率和高效率应用中的卓越性能。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源击穿电压（VDS）可达100V，适用于多种中高电压应用场景。此外，其栅源击穿电压为±20V，提供更高的可靠性与稳定性。PMV15ENEAR的栅极电荷较低，使其在开关应用中表现出更快的响应速度和更低的驱动损耗。器件的工作温度范围宽广，可在-55°C至+150°C之间稳定运行，适应各种严苛的环境条件。SOT457（SOT-23）封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装，提高制造效率。
在热性能方面，PMV15ENEAR具有良好的散热能力，能够在高负载条件下维持稳定工作。其封装设计优化了热阻，确保在有限空间内实现高效的热管理。该MOSFET适用于多种便携式电子设备、电源管理系统、LED驱动电路以及工业控制设备，提供可靠的功率控制和高效的能量转换能力。
PMV15ENEAR适用于多种电源管理和功率控制应用。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）以及各种低功耗开关应用。该器件在需要高效率、小尺寸和良好热性能的电路中表现出色。
PMV15EN, PMV15XN, PMV20EN, 2N7002, BSS138
