类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

2N5568具有多个关键特性，使其适用于广泛的功率电子应用。
　　首先，其漏源电压为200V，允许在较高的电压环境下稳定运行，适用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等场合。栅源电压为±30V，提供良好的栅极控制稳定性，并防止过压损坏。
　　其次，该MOSFET的连续漏极电流为4A，足以支持中等功率的开关操作。导通电阻最大为0.65Ω，虽然不是最低的Rds(on)，但在其发布时期属于较为优异的性能指标，有助于减少导通损耗并提高能效。
　　此外，该器件的功耗为50W，配合TO-220封装良好的散热性能，可以在中等功率条件下稳定运行。工作温度范围宽达-55°C至+150°C，使其适用于多种环境条件，包括工业和车载应用。
　　最后，2N5568具备较高的开关速度，适合用于频率较高的开关电路，尽管其性能不如现代的超低Rds(on)MOSFET，但在一些传统设计和替代方案中仍然具有应用价值。

2N5568主要应用于各类功率电子设备中，尤其是在需要中等电压和电流能力的开关电路中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，电机驱动电路中的H桥结构，以及DC-AC逆变器中的功率开关元件。
　　在工业控制领域，2N5568可用于继电器驱动、电磁阀控制和LED照明调光电路。在汽车电子中，该器件适用于车载充电系统、电动工具和车身控制模块。
　　此外，由于其封装形式易于安装和散热管理，2N5568也常用于教学实验和原型开发中，作为功率开关的典型代表进行教学和测试。
　　虽然现代功率MOSFET在性能上已大幅超越2N5568，但在某些对成本敏感或对性能要求不极端的应用中，它仍然是一个可靠的选择。

IRF540, FQP5N60, 2N6782, BUZ11